Бывший инженер Samsung получил семь лет тюрьмы за кражу технологий

Южнокорейский суд приговорил бывшего инженера Samsung Electronics к семи годам заключения за незаконное получение секретов производства DRAM и их передачу китайской CXMT. Дело раскрыло масштабную схему промышленного шпионажа.

Инженер, проработавший в Samsung 28 лет, перешёл в ChangXin Memory Technologies (CXMT) примерно в 2016 году. Следствие установило, что он незаконно получил подробный Process Recipe Plan — документ примерно с 600 этапами производства 18-нм DRAM. В нём содержались сведения о последовательности технологических операций и параметрах оборудования, которые могли значительно ускорить разработку собственных производственных процессов.

Во время недавнего судебного заседания бывший сотрудник заявил, что руководство CXMT изначально рассчитывало получить технологии Samsung для создания собственной DRAM. По его словам, на момент основания компании в 2016 году у неё не было необходимых исследовательских мощностей, а разработку технологии с нуля якобы даже не планировали.

История получила продолжение и в других уголовных делах. В апреле 2026 года ещё один бывший руководитель Samsung получил 6 лет и 4 месяца тюрьмы и штраф в 200 млн вон за передачу Китаю технологий производства полупроводников. Суд отдельно подчеркнул, что подобные преступления нельзя считать незначительными из-за огромных затрат и времени, необходимых для создания передовых технологий.