CXMT столкнулась с проблемами при производстве HBM и теряет до 80% чипов

Китайская CXMT пытается выйти на рынок HBM, но производство пока даётся компании тяжело. По данным корейских СМИ, выход годных 8-слойных чипов HBM3 составляет лишь 25–30%, что серьёзно осложняет их массовый выпуск.

Главная проблема связана с TSV — вертикальными соединениями, которые проходят через кремниевые слои и позволяют объединённым кристаллам обмениваться данными. В одном чипе CXMT их около 3000. Производитель также испытывает трудности с укладкой и соединением DRAM-кристаллов, из-за чего значительная часть продукции не проходит итоговую проверку качества. По оценкам отраслевых источников, из партии примерно 100 чипов около 70–80 могут быть забракованы.

HBM заметно сложнее обычной DRAM из-за необходимости объединять несколько слоёв памяти в единый стек. В актуальных решениях используется до 16 слоёв, а будущие HBM4 дополнительно требуют более сложных технологий соединения. CXMT ранее смогла укрепить позиции на мировом рынке памяти благодаря поставкам обычной DRAM китайским компаниям, пока Samsung, SK hynix и Micron переключали значительную часть ресурсов на HBM. Теперь же попытка догнать лидеров в этом сегменте показала, насколько высокой остаётся технологическая планка.