Китайцы заявили о прорыве в производстве многослойной 3D DRAM

Китайская Naura Technology Group заявила о разработке нового метода травления, который может помочь стране перейти к производству 3D DRAM. Компания утверждает, что научилась равномерно обрабатывать стек из 64 слоёв, избегая ряда проблем традиционной технологии.

Предложенный процесс состоит из двух этапов. Сначала нейтральные радикалы фтора воздействуют на слои кремний-германий (SiGe), практически не затрагивая соседние слои кремния. На поверхности кремния при этом формируется защитная плёнка из фторида германия. Затем плазменная продувка удаляет побочные продукты и снижает эффект микронагрузки, из-за которого глубина травления может различаться между участками структуры.

По данным Naura, новый подход обеспечивает селективность травления Si к SiGe более 500:1. Иными словами, SiGe удаляется более чем в 500 раз быстрее кремния. Это особенно важно для 3D DRAM, где чередующиеся слои материалов необходимо обрабатывать на большой глубине без повреждения соседних структур. Технология потенциально может помочь китайской CXMT развивать вертикальную компоновку памяти и частично обходить ограничения DUV-литографии, не располагающей возможностями современных EUV-систем.