Разработана альтернатива DRAM-памяти - В 4 раза больше плотности, выше скорость и меньше потребление

Стартап Unisantis Electronics, которым заведует Фуджио Масуока (изобретатель NAND-памяти), разработал динамическую флеш-память (DFM) - совершенно новый тип памяти, который обещает четырехкратное увеличение плотности хранения данных относительно DRAM, а также обеспечение больших скоростей при меньшем энергопотреблении.

А благодаря тому, что новый тип памяти использует стандартные CMOS-материалы и не требует особых методов производства, это решение вполне может попасть в массовое производство в будущем. Однако на данный момент никакой речи о сроках появления первых решений с данным типом памяти не идет.

Стоит отметить, что DFM не является первым в индустрии видом памяти случайного доступа без конденсаторов, но предыдущие попытки оказались неудачными.