Samsung добивается прогресса в производстве 2‑нм чипов

Согласно последнему отчёту, Samsung продемонстрировала ощутимые успехи в разработке полупроводниковых технологий нового поколения. Компания достигла 50 % выхода годных изделий при производстве по 2‑нм технологии.

Сейчас Samsung нацелена на повышение этого показателя, одновременно начав продвижение своего узла SF2P — второго поколения 2‑нм GAA‑технологии. По сравнению с первой версией процесс SF2P предлагает ряд улучшений.

Партнёрам по разработке решений (Design Solution Partners, DSP) уже направлены инструкции с призывом активно продвигать именно второе поколение 2‑нм GAA, а не первоначальную версию технологии.

Когда в сентябре 2025 года Samsung объявила о старте массового производства чипа Exynos 2600, выход годных изделий по 2‑нм GAA оценивался в 50 %, а целевой показатель составлял 70 %. По последним данным, компания пока не улучшила этот результат, однако он уже значительно превосходит показатели 3‑нм GAA‑технологии, где выход годных не превышал 30 %. 

Хотя первое поколение 2‑нм GAA, вероятно, будет демонстрировать лишь постепенный рост, Samsung уже смещает фокус на второе поколение (SF2P). Компания завершила базовое проектирование этого узла.

Кроме того, ведётся работа над третьим поколением 2‑нм GAA (SF2P+), которое, по оценкам, будет реализовано в течение двух лет. По словам источника, близкого к планам Samsung, сейчас основные усилия направлены на развитие технологии SF2P — базовый набор средств проектирования (PDK) был готов уже в середине прошлого года.

Ожидается, что SF2P будет использован при выпуске Exynos 2700 в следующем году. Этот чипсет должен поддерживать современные стандарты, включая LPDDR6 RAM и UFS 5.0.

Помимо флагманских SoC Samsung, технология SF2P привлечёт и других крупных заказчиков. В частности, Tesla планирует массовое производство своего ИИ‑чипа AI6 именно на этом узле. Ранее компании заключили соглашение на сумму 16,5 млрд долларов.