Samsung готовит HBM к переходу от памяти к «умному» компоненту ИИ-систем

Samsung представила на Hot Chips новую концепцию развития HBM, в которой базовый кристалл памяти перестаёт быть просто связующим звеном. Компания рассчитывает превратить его в полноценный вычислительный компонент для будущих ИИ-ускорителей.

В основе нынешней HBM лежат два типа кристаллов: Core Die с ячейками DRAM и Base Die, отвечающий за управление памятью и связь с GPU или другими ускорителями. Однако рост пропускной способности постепенно упирается в ограничения TSV, количества интерфейсов и энергопотребления. Поэтому Samsung намерена перенести Base Die на более современные техпроцессы и расширить его возможности.

Компания описала трёхэтапный путь к этой цели: сначала планируется освободить площадь и добавить новые функции, затем перейти к Custom HBM и Advanced HBM, а финальной точкой станет ZHBM с полноценной трёхмерной компоновкой. В такой архитектуре DRAM будет размещаться непосредственно над вычислительной логикой, что позволит значительно сократить путь передачи данных.