Samsung почти достигла идеального выпуска HBM4 и бросила вызов лидерам рынка

Samsung добилась серьезного прогресса в производстве памяти HBM4. По данным корейских СМИ, показатель выхода годных чипов приблизился к 80% — уровню, который в индустрии называют «золотым». Для компании это особенно важно после нескольких непростых лет попыток догнать SK Hynix и Micron на рынке памяти для ИИ.

Массовое производство HBM4 Samsung запустила в феврале, причем на старте выход годных чипов составлял менее 60%. Благодаря ускоренной оптимизации производственного процесса компании удалось значительно улучшить результат и достичь целевого показателя, который изначально ожидался лишь к концу года. В результате Samsung уже увеличила прогноз выручки от HBM4 в третьем квартале втрое.

HBM4 Samsung выпускается с использованием 10-нм класса DRAM и 4-нм логики. Память обеспечивает скорость до 13 Гбит/с и пропускную способность до 3,3 ТБ/с на стек, а максимальный объем достигает 48 ГБ. Кроме того, по сравнению с HBM3E заявлены улучшения энергоэффективности и теплоотвода.

Особенно показательно, что память Samsung уже используется в ускорителях AMD Instinct MI400. Компания также готовит HBM4E: ее выход годных чипов при тестировании надежности уже достиг 70%, а отдельный стек способен обеспечить до 4 ТБ/с пропускной способности. Если Samsung продолжит наращивать показатели такими темпами, у SK Hynix скоро появится гораздо более серьезный соперник за главный ресурс современной ИИ-индустрии.