Huawei решила не зависеть от дефицита памяти и готовит собственное производство DRAM

2184
Добавить в Google News
Huawei решила не зависеть от дефицита памяти и готовит собственное производство DRAM

Huawei, по данным отраслевых источников, намерена создать собственное производство оперативной памяти DRAM. Проект реализуется совместно с китайским производителем Swaysure и при поддержке государства. Такой шаг должен снизить зависимость компании от мировых поставщиков памяти и помочь пережить как дефицит чипов, так и возможные новые торговые ограничения со стороны США.

Сообщается, что партнёры планируют построить завод по производству чипов памяти на пластинах диаметром 12 дюймов мощностью до 140 тысяч пластин в месяц. На первом этапе завод будет выпускать 28-нм DRAM. Для реализации проекта Huawei привлекла бывшего директора TSMC на должность генерального директора предприятия, а также экс-руководителя Elpida в качестве стратегического консультанта.

Несмотря на большой опыт Huawei в разработке полупроводников, собственного опыта массового производства DRAM у компании практически нет, поэтому ключевую роль в проекте сыграет Swaysure. Ожидается, что государственная поддержка ускорит строительство завода и поможет компании снизить риски, связанные с дефицитом памяти и зависимостью от поставок Samsung, SK hynix и Micron.

Источники:
Wccftech
Комментировать
Другие публикации по теме
Флагманская GeForce RTX 5090 исчезла из продажи на сайте NVIDIA Marketplace
Флагманская GeForce RTX 5090 исчезла из продажи на сайте NVIDIA Marketplace
Видеокарта GeForce RTX 5090 поколения Blackwell оказалась на пороге досрочного завершения производства. Вслед за слухами о том, что Хуанг собирается прекратить ее производство, в Сети нашли подтверждение этой информации.
Сегодня в 11:39
602
Форум
NVIDIA сохранит 12-слойную память HBM4 в большинстве ускорителей Rubin
NVIDIA сохранит 12-слойную память HBM4 в большинстве ускорителей Rubin
Большинство ускорителей NVIDIA нового поколения Rubin, предназначенных для задач искусственного интеллекта, вероятно, сохранят память HBM4 с 12 слоями кристаллов. При этом дефицит микросхем может привести к резкому росту цен на такую память уже в 2027 году.
Вчера в 16:33
322
Форум
Взрыв на фабрике Intel в Израиле: трое пострадавших, возможна утечка опасного газа
Взрыв на фабрике Intel в Израиле: трое пострадавших, возможна утечка опасного газа
На предприятии Intel Fab 38 в израильском Кирьят-Гате произошли взрыв и пожар. Пострадали как минимум три человека, причём один из них находится в критическом состоянии. На место направили восемь спасательных команд, включая специалистов по работе с опасными веществами.
Вчера в 16:25
702
Форум