NVIDIA не спешит с новой памятью HBF, несмотря на ажиотаж вокруг ИИ

439
Добавить в Google News
NVIDIA не спешит с новой памятью HBF, несмотря на ажиотаж вокруг ИИ

На фоне стремительного роста рынка ИИ в индустрии активно обсуждают новую технологию памяти HBF, однако NVIDIA пока не планирует переходить на неё. Компания делает ставку на уже проверенные решения и альтернативные подходы.

HBF разрабатывается совместно SanDisk и SK Hynix как следующий шаг после HBM. Технология предполагает многослойную структуру NAND-памяти с использованием вертикальных соединений, что позволяет достигать впечатляющих объёмов — до 4 ТБ на стек.

По скорости HBF уступает HBM, но разработчики рассчитывают компенсировать это архитектурными оптимизациями. Основной сценарий использования — задачи инференса, которые становятся всё более актуальными на фоне развития «агентного» ИИ.

Тем не менее NVIDIA не спешит внедрять новинку. По данным источников, компания считает, что текущие ограничения можно решить с помощью высокоскоростных SSD. В частности, ведётся работа с Kioxia над PCIe Gen7-накопителями, которые могут значительно увеличить пропускную способность.

Первые образцы HBF ожидаются уже во второй половине года, и интерес к технологии проявляют крупные игроки. Среди них — Google, которая рассматривает её для развития собственной экосистемы TPU.

Комментировать
Другие публикации по теме
Флагманская GeForce RTX 5090 исчезла из продажи на сайте NVIDIA Marketplace
Флагманская GeForce RTX 5090 исчезла из продажи на сайте NVIDIA Marketplace
Видеокарта GeForce RTX 5090 поколения Blackwell иоказалась на пороге досрочного завершения производства. Вслед за слухами о том, что Хуанг собирается прекратить ее производство, в Сети нашли подтверждение этой информации.
Сегодня в 11:39
321
Форум
NVIDIA сохранит 12-слойную память HBM4 в большинстве ускорителей Rubin
NVIDIA сохранит 12-слойную память HBM4 в большинстве ускорителей Rubin
Большинство ускорителей NVIDIA нового поколения Rubin, предназначенных для задач искусственного интеллекта, вероятно, сохранят память HBM4 с 12 слоями кристаллов. При этом дефицит микросхем может привести к резкому росту цен на такую память уже в 2027 году.
Вчера в 16:33
249
Форум
Взрыв на фабрике Intel в Израиле: трое пострадавших, возможна утечка опасного газа
Взрыв на фабрике Intel в Израиле: трое пострадавших, возможна утечка опасного газа
На предприятии Intel Fab 38 в израильском Кирьят-Гате произошли взрыв и пожар. Пострадали как минимум три человека, причём один из них находится в критическом состоянии. На место направили восемь спасательных команд, включая специалистов по работе с опасными веществами.
Вчера в 16:25
462
Форум