Samsung раскрыла характеристики 2‑нм технологического процесса
Компания Samsung впервые обнародовала ключевые показатели своего 2‑нм технологического процесса с транзисторами Gate‑All‑Around (GAA), продемонстрировав умеренное улучшение по сравнению с 3‑нм технологией. Ранее южнокорейский гигант лишь сообщал о старте массового производства пластин по этой литографии, но теперь представил конкретные цифры по производительности, энергоэффективности и плотности размещения элементов.
По данным Samsung, новый процесс обеспечивает:
- прирост производительности на 5 % по сравнению с 3‑нм GAA;
- улучшение энергоэффективности на 8 %;
- сокращение площади чипа на 5 %.
Эти значения оказались ниже предварительных оценок, согласно которым ожидался рост производительности до 12 %, а энергоэффективности — до 25 %.
На фоне доминирования TSMC (70,2 % мирового рынка полупроводников) доля контрактного производства Samsung во втором квартале составила 7,3 %. Компания нацелена выйти на прибыльность в сегменте полупроводников к 2027 году, и 2‑нм процесс должен стать основой для достижения этой цели.
Первым чипсетом Samsung на 2‑нм технологии станет Exynos 2600. Кроме того, компания уже заручилась заказами от двух крупнейших производителей оборудования для майнинга криптовалют — MicroBT и Canaan. Их заказы занимают около 10 % общей производственной мощности Samsung. Также заключена многомиллиардная сделка с Tesla.
Ранее Samsung сообщала о достижении порога yields (выход годных изделий) на уровне 30 %, но теперь этот показатель повышен до 50–60 %. Это позволит нарастить объёмы производства пластин. Для сравнения: ежемесячный выпуск Exynos 2600 ранее составлял лишь 15 000 единиц.
Несмотря на скромные по сравнению с прогнозами улучшения, 2‑нм технология Samsung остаётся важным шагом в укреплении позиций компании на рынке полупроводников. Успех этого процесса может не только увеличить рыночную долю Samsung, но и приблизить её к цели по достижению прибыльности в полупроводниковом бизнесе к 2027 году.
