Intel и SoftBank представят новую память ZAM для искусственного интеллекта
Компания Intel в партнёрстве с дочерней структурой SoftBank, Saimemory, разрабатывает новую технологию памяти под названием Z-Angle Memory (ZAM). Проект направлен на решение дефицита высокопроизводительной памяти, вызванного бумом в области искусственного интеллекта.
ZAM использует инновационный подход к компоновке — соединения между слоями чипов располагаются по диагонали («Z-угол»), а не вертикально, как в традиционной памяти. Это позволяет эффективнее использовать площадь кристалла, повышая плотность данных и улучшая теплоотвод. Технология, вероятно, будет использовать медное гибридное соединение и бесконденсаторную архитектуру, а для подключения к процессорам ИИ задействуется разработка Intel — EMIB.
Ожидается, что по сравнению с текущим стандартом HBM память ZAM обеспечит:
- Снижение энергопотребления на 40–50%.
- Упрощение производственного процесса.
- Увеличение ёмкости до 512 ГБ на чип.
Первыми ZAM могут получить собственные чипы SoftBank серии Izanagi. Успех технологии на рынке во многом будет зависеть от её поддержки ключевыми игроками, такими как NVIDIA. Для Intel это возвращение в сегмент DRAM-памяти, который компания покинула в 1985 году.
